Hittite
Компания Hittite Microwave основана доктором Я.Аясли (Yalcin Ayasli) в 1985 году для инновационной разработки и производства высококачественных аналоговых и цифровых интегральных микросхем и модулей радиочастотного, микроволнового и миллиметрового диапазонов, перекрывающих частоты от постоянного тока до 110 ГГц.
Главный офис расположен в Чемсворде, шт. Массачусетс. Несколько десятков отделений и представительств корпорации находятся в США, Канаде, Европе, Южной Азии, Японии, Новой Зеландии, Китае, Тайване, Индии, Австралии. Президент – Стефан Дали (S. Daly), Председатель Совета директоров – Я.Аясли.
Продукция корпорации выполнена на основе транзисторов типа MESFET, PHEMT, MHEMT и HBT, изготавливаемых на GaAs, InGaP/GaAs, InP, SiGe. Функциональные узлы и интегральные схемы имеют бескорпусное исполнение, либо монтируются в корпуса 20 унифицированных видов для поверхностного монтажа, созданные на основе специальных пластмасс и керамики, либо представляют собой герметизированные модули с коаксиальными SMA-соединителями. Корпорация активно выполняет современные экологические требования к материалам и технологиям в соответствии с директивой RoHS (ограничение применения вредных веществ) Европейского союза и выпускает RoHS-версии многих своих изделий.
В номенклатуру компонентов Hittite разнообразного назначения входят:
- усилители,
- аттенюаторы,
- смесители, модуляторы амплитуды и фазы,
- фазовращатели,
- умножители и делители частоты,
- управляемые напряжением генераторы, переключатели, датчики и другие компоненты, предназначенные для аппаратуры подвижной радиосвязи, волоконно-оптических линий связи, радиолокационной техники.
