Новости

Подразделение компании Infineon Technologies Company – International Rectifier HiRel Products – начала производство радиационно-стойких (RAD-Hard™) N-канальных транзисторов MOSFET IRHLMS77064 с максимальным рабочим напряжением 60 В, выполненных в корпусе TO254AA для монтажа в отверстия печатной платы. Логический уровень управления затвором обеспечивает простоте сопряжение схем управления с логикой TTЛ и КМОП в силовой электронике в космической аппаратуре и другой аппаратуре, применяемой в условиях воздействия радиации. Пороговой напряжение сохраняет своё значение в пределах допустимых пределов во всём диапазоне рабочих температур и воздействия радиации до 100 крад и до 82 МэВ см²/мг.

Транзистор является идеальным при обеспечении непосредственного сопряжения с большей частью логических вентилей, линейных микросхем, микроконтроллеров и других типов устройств, требующих для питания уровней напряжения от 3,3 до 5 В. Возможно также использование транзисторов при необходимости увеличения выходного тока микросхем ШИМ-контроллеров, компараторов напряжения или операционных усилителей, когда доступны логические уровни управляющих сигналов. Сочетание низкого сопротивления открытого канала R_{DS (ON)} (0,012 Ом) и небольшого заряда затвора (162 нК) уменьшает потери энергии.

Технические характеристики MOSFET IRHLMS77064:

• код компонента IRHLMS77064;

• поглощённая доза 100 кРад;

• максимальное рабочее напряжение V_{(BR) DSS} 60 В;

• сопротивление канала открытого транзистора R_DS(ON) (макс.) 0,012 Ом;

• ток стока I_D (+25˚C) 45 А;

• напряжение затвор–исток VGS ±10 В.