Новости

Подразделение компании An Infineon Technologies Company – International Rectifier HiRel Products – начала производство радиационно-стойких (RAD-Hard™) N-канальных транзисторов MOSFET IRHLF7S7214 с максимальным рабочим напряжением 250 В, выполненных в корпусе TO-39 для монтажа в отверстия печатной платы. Логический уровень управления затвором обеспечивает простоте сопряжение схем управления с логикой TTЛ и КМОП в силовой электронике в космической аппаратуры и другой аппаратуре, применяемой в условиях воздействия радиации. Пороговое напряжение сохраняет своё значение в пределах допустимых пределов во всём диапазоне рабочих температур и воздействия радиации до 100 крад (до 300 крад для модели IRHLF7S3214) и до значения линейных потерь энергии ионов 56,8 МэВ × см²/мг (при воздействии ионами ксенона).

Транзисторы являются идеальными при обеспечении непосредственного сопряжения с большей частью логических вентилей, линейных микросхем, микроконтроллеров и других типов устройств требующих для питания уровней напряжения от 3,3 до 5 В. Возможно также использование транзисторов при необходимости увеличения выходного тока микросхем ШИМ-контроллеров, компараторов напряжения или операционных усилителей, когда доступны логические уровни управляющих сигналов. Сочетание низкого сопротивления открытого канала RDS (ON) (1 Ом) и небольшого заряда затвора (18 нК) уменьшают потери энергии, особенно, потери на переключение. Вес транзистора – 0,98 г.

Транзисторы данной серии импортируются в Россию без оформления экспортной лицензии.

Технические характеристики:

www.infineon.com