Infineon освоила производство новых 1200-вольтовых IGBT на 12-дюймовых пластинах

Infineon Technologies приступила к производству 1200-вольтовых IGBT нового поколения TRENCHSTOP IGBT6. Это первые на рынке дискретные IGBT с обратным диодом, изготавливаемые на 12-дюймовых пластинах. Новая технология изготовления IGBT разработана для удовлетворения растущих требований потребителей к высокой эффективности и высокой плотности мощности. Новое семейство транзисторов оптимизировано для использования в коммутационных и резонансных топологиях на частотах переключения от 15 кГц до 40 кГц. Типичными областями применения IGBT6 будут источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, зарядные устройства для аккумуляторов и накопители энергии.

Новое семейство 1200-вольтовых TRENCHSTOP IGBT6 представлено двумя сериями. В приборах серии S6 реализовано наилучшее соотношение низкого напряжения насыщения 1.85 В и низких потерь переключения. Приборы серии H6 оптимизированы для минимальных потерь переключения. Испытания транзисторов в реальной аппаратуре подтвердили, что прямая замена IGBT предыдущего поколения Highspeed3 на IGBT6 серии S6 обеспечивает выигрыш в КПД, составляющий 0.2%. Положительный температурный коэффициент позволяет легко и надежно соединять несколько транзисторов параллельно. Кроме того, очень хорошая управляемость сопротивления затвора дает возможность регулировать скорость переключения IGBT в соответствии с требованиями соответствующего приложения.

Доступность

Транзисторы семейства TRENCHSTOP IGBT6 освоены в серийном производстве. В семейство вошли 15- и 40-амперные устройства в корпусах TO-247-3 с диодами, рассчитанными на половинный или полный ток транзистора. Наивысшая в отрасли плотность мощности для дискретных IGBT достигнута в 75-амперном приборе с 75-амперным обратным диодом, выпускаемом в корпусе TO-247PLUS с тремя или четырьмя выводами.