Новости
IGBT модули с увеличенной плотностью мощности от Infineon
Компания Infineon обновила семейство IGBT модулей в стандартном корпусе 62 мм, выпустив приборы с увеличенными рабочими токами. Таким образом, используя данные модули, можно повысить выходную мощность при неизменных конструктиве и размерах преобразователя, либо снизить рабочую температуру кристалла для применений, требующих высокой надежности.
Новые модули доступны на напряжение 1200 В с током коллектора 600 А и на напряжение 1700 В с током коллектора 500 А. Топология соединения внутри модуля выполнена по схеме полумост, для 1200
В IGBT доступен вариант соединения транзисторов с общим эмиттером. Приборы также можно заказать в исполнении с предварительно нанесенным теплопроводящим материалом TIM.
Технические характеристики
- напряжение/ток 1200 В (600 А) и 1700 В (500 А);
- максимальная допустимая температура перехода Tvjop=150°C;
- изоляция 4 кВ (1 минута);
- кристаллы IGBT 4 Trench/Fieldstop;
- стандартный корпус 62 мм;
- высокие изоляционные свойства корпуса (ток утечки по воздуху и по поверхности).
Целевые применения:
- частотные электроприводы;
- источники бесперебойного питания;
- альтернативная энергетика.