Новости

GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с высокой подвижностью электронов (E-HEMT), добавив к своей линейке GaN продуктов 150-амперные приборы GS-065-150-1-D и 80-амперные GS-065-080-1-D. В частности, транзистор 150 А/650 В превосходит любой другой силовой GaN транзистор, предлагаемый сегодня на рынке, как по току (80 А при 22 мОм), так и по сопротивлению (50 А при 18 мОм).

GS-065-080-1-D	GS-065-150-1-D

Эти продукты отвечают требованиям, предъявляемым к современным мощным системам, обеспечивающим достижение более высоких рабочих токов, более высоких значений КПД и меньших размеров и веса. Новые транзисторы с самыми большими рабочими токами среди всех выпускаемых GaN продуктов разработаны специально для удовлетворения нужд автомобилестроения, промышленности и рынка возобновляемой энергии. Список приложений новых транзисторов включает:

• Тяговые инверторы (от 75 кВт до 150 кВт) и бортовые зарядные устройства (от 6.6 кВт до 22 кВт) электрических транспортных средств;
• Системы хранения энергии и инверторы солнечных электростанций мощностью до 50 кВт и выше;
• Приводы и контроллеры промышленных двигателей мощностью до 10 кВт и выше.

Устройства продаются в виде кристаллов, предназначенных для монтажа в силовые модули различных конструкций. Покупатели могут использовать кристаллы в модулях для создания мощных полумостовых, полномостовых и трехфазных конфигураций с интегрированными схемами драйверов затворов, оптимизированных для дифференциации решений своих конечных потребителей.