Новости
Toshiba выпускает новый карбидокремниевый MOSFET с допустимым напряжением стока 1200 В
Toshiba выпускает новый карбидокремниевый MOSFET с допустимым напряжением стока 1200 В
Устройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии
Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники питания с входным напряжением 400 В AC, фотогальванические инверторы и двунаправленные DC/DC преобразователи для источников бесперебойного питания.
Новый мощный MOSFET TW070J120B основан на SiC – новом широкозонном материале, который позволяет устройствам обеспечивать лучшую устойчивость к высоким напряжениям, более высокую скорость переключения и более низкое сопротивление в открытом состоянии, чем обычные кремниевые MOSFET или биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). В результате новый MOSFET внесет значительный вклад в снижение энергопотребления и повышение плотности мощности, дав возможность уменьшить размеры системы.
Изготавливаемый с использованием технологии Toshiba второго поколения, новый SiC MOSFET отличается повышенной надежностью. Кроме того, в TW070J120B реализована низкая входная емкость 1680 пФ (тип.), низкий заряд затвора 67 нКл (тип.) и сопротивление сток-исток в открытом состоянии всего 70 мОм (тип.).
По сравнению с кремниевыми 1200-вольтовыми IGBT, такими как выпускаемый Toshiba прибор GT40QR21, новое устройство снижает потери переключения примерно на 80% и время переключения (время спада) примерно на 70%, обеспечивая при этом низкое сопротивление открытого канала при токе стока до 20 А.
Пороговое напряжение затвора установлено высоким (в диапазоне от 4.2 В до 5.8 В), что снижает вероятность непреднамеренного или ложного включения или выключения. Кроме того, включение SiC диода Шоттки с низким прямым напряжением всего –1.35 В (тип.) также помогает снизить потери.
Упакованный в корпус TO-3P(N) новый MOSFET TW070J120B позволит разработчикам создавать источники питания с более высоким КПД, особенно в промышленных приложениях, где повышенная плотность мощности также будет способствовать уменьшению размера и веса оборудования.