Новости

Toshiba анонсировала пять 650-вольтовых MOSFET с суперпереходом в новых корпусах TOLL

Toshiba TK065U65Z TK090U65Z TK110U65Z TK155U65Z TK190U65Z

Новый компактный SMD корпус TOLL помогает уменьшить размеры оборудования, а подключение истока по схеме Кельвина повышает КПД

Toshiba Electronics Europe анонсировала пять 650-вольтовых MOSFET с суперпереходом в новых безвыводных корпусах для поверхностного монтажа типа TOLL. Транзисторы TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z и TK190U65Z с размерами всего 9.9 мм × 11.68 мм × 2.3 мм имеют на 27% меньшую площадь, чем устройства в традиционных корпусах D2PAK. Типичные области применения включают источники питания серверов в центрах обработки данных, стабилизаторы напряжения солнечных электростанций, системы бесперебойного питания и другие промышленные приложения.

Модельный ряд был расширен продуктами серии DTMOS VI с низкими сопротивлениями открытых каналов до 65 мОм. Кроме того, 4-контактный корпус позволяет подключать исток по схеме Кельвина. Это дает возможность уменьшить паразитную индуктивность истокового провода в корпусе и снизить потери переключения за счет подавления колебаний. По сравнению со своим аналогом TK090N65Z – устройством с таким же напряжением и таким же сопротивлением открытого канала, упакованным в корпус TO-247 без подключения Кельвина, – TK090U65Z имеет на 68% меньшие коммутационные потери при включении, а потери при выключении снижаются примерно на 56%.

Внедрение мощных 650-вольтовых MOSFET с суперпереходом последнего поколения серии DTMOS VI поможет инженерам уменьшить размеры конечного оборудования и повысить его эффективность. Технология DTMOS VI предназначена для достижения самых высоких значений КПД в коммутационных приложениях при лучшем в своем классе факторе качества – произведении сопротивления открытого канала на заряд затвора.