Новости

Компания Infineon выпустила на рынок 600-В IGBT со встроенным диодом, рассчитанные на токи 100 и 120 А, в новом корпусе TO-247PLUS.

TO-247PLUS имеет те же размеры, что и стандартный корпус TO-247, но, благодаря отсутствию отверстия под винт, рабочий ток транзистора увеличен до 120 А (при 100⁰С). Кроме того, была увеличена теплоотводящая поверхность, что позволило повысить рассеиваемую корпусом мощность по сравнению со стандартным корпусом TO-247.

Области применения 100-А и 120-А TRENCHSTOP™ IGBT в корпусе TO-247PLUS:

• Модернизация существующих решений. Благодаря простой замене 75-А IGBT в корпусе TO-247 на 120-А транзистор в корпусе TO-247PLUS выходная мощность изделия может быть увеличена почти на 20%.
• Повышение надёжности всей системы. Температура корпуса транзистора снизится на 25% при замене 75-А IGBT в корпусе TO-247 на 120-А транзистор в корпусе TO-247PLUS .
• Бюджетная альтернатива IGBT-модулям – снижение стоимости на 50% и простота в применении позволяют сделать решение более гибким.

В линейке новых IGBT имеются транзисторы как для промышленного, так и для автомобильного применения.

Ключевые преимущества:

• Наивысший на рынке рабочий ток 100 А и 120 А для 600-В IGBT с встроенным диодом.
• На 35% увеличена активная теплоотводящая поверхность, что позволило на 20% снизить тепловое сопротивление R th(jh).
• Высокая надёжность продлевает срок службы всего устройства.

Применение:

• Бесперебойные источники питания (UPS).
• Солнечная энергетика.
• Сварочное оборудование.
• Автомобилестроение.