Новости

Vishay анонсировала выпуск 20-В n-канальных МОП-транзисторов, выполненных по технологии TrenchFET в компактных корпусах MICRO FOOT (0,8 х 0,8 х 0,357 мм). Новые компоненты Siliconix Si8824EDB, созданные для экономии монтажного места и сокращения энергопотребления в смартфонах, планшетах, носимых устройствах, твердотельных накопителях и портативных медицинских приборах обладают одним из наименьших сопротивлений открытого состояния среди 20-В транзисторов сравнимого размера.

Транзисторы, оптимизированные для цепей переключения нагрузки, коммутации слабых сигналов, а также высокоскоростных переключений в схемах питания обладают сопротивлением Rds(on): 75 мОм при напряжении 4,5 В; 82 мОм – 2,5 В; 90 мОм – 1,8 В; 125 Ом – 1,5 В и 175 мОм – 1,2 В. Данные показатели до 25 % ниже соответствующих значений у ближайших конкурирующих 20-В МОП-транзисторов в аналогичных по размерам корпусах DFN (1 х 0,6 мм). Сочетание характеристик в новых транзисторах обеспечивает запасом надёжности, гибкостью реализации схем драйвера затвора, высокими рабочими показателями в цепях, питающихся от ионно-литиевых батарей.

Транзисторы Si8824EDB сэкономят монтажную площадь и сократят энергопотребление мобильных устройств. Низкое сопротивление открытого состояния означает небольшое падение напряжения постоянного и импульсного токов, поэтому меньшая энергия расходуется впустую в виде рассеивания тепла. Реализованная защита от электростатики с уровнем до 2 кВ предотвращает статическое повреждение компонентов.

Образцы и серийные партии транзисторов Si8824EDB доступны для заказа.